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全球首款TSV存储器芯片由Hynix海力士推出

来源:未知 时间:2014-01-02 16:55 发布人:admin 阅读:

 

韩国Hynix海力士采用TSV技术的存储器芯片可用于要求高绘图效能的设备上,亦可应用在超级计算机与服务器,预计将于明年下半年投入量产。
韩国Hynix海力士周四宣布,该公司已开发出全球第一款采用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via,TSV)技术的存储器芯片,将大幅提升执行速度与效率。
Hynix海力士表示,该款高带宽存储器芯片的执行速度达到每秒128GB,较GDDR5芯片快上四倍,而耗电量仅1.2伏特,省电率达40%。
这款由Hynix海力士与美国超微(AMD)合力打造的尖端存储器芯片,以TSV技术结合了四颗40纳米级的DRAM芯片,使DRAM芯片能以更高的电力效能进行连接。
 
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