SAMSUNG(三星）

天元鑫作为国内知名的三星代理商丨samsung代理商 ( 吕艳 15013767173 手机微信同号 ) ，面向大陆三百万中小电子生产企业提供一站式电子元器件采购、技术及服务支持。深圳市天元鑫半导体有限公司于2008年初创于深圳，多年来扎根于一站式电子元器件分销领域，现已成为多家国际品牌的电子元器件代理商。先后代理销售Maxim美信、TI德州仪器、ST意法、NXP恩智浦、ADI亚德诺、Altera阿尔特拉、Atmel爱特梅尔、MPS芯源、Samsung三星代理商、Winbond华邦、Eon宜扬、XILINX赛灵思、ON安森美、Infineon英飞凌、飞思卡尔freescale等十几个品牌原装现货。

天元鑫也是国内率先将互联网引入电子制造业的先驱者之一，以Samsung三星半导体等IC元器件采购业务为入口，汇聚海量的电子产品生产商客户，并根据客户数据进行针对性的进一步增值加工服务，成功地打造了国内首家真正的一站式电子元器件供应链服务平台。让客户享受到高性价比的电子元件，还能得到一定的产品附加值。

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深圳市天元鑫半导体有限公司

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SAMSUNG SDRAM/DDR 系列产品特点：

•高速度— 1600Mbps的DDR3能迎合需要高速效的数码电视、STB、蓝光播放机和网络设备；
•低功耗 —DDR3(1.5V) 的电压比DDR2(1.8V)低，能减低系统的耗电量；
•工作温度范围宽 - 最新的Q版本工作温度在-40 to +105；
•高品质 - 由于是国内生产与加工，无形中降低了很多成本。广泛应用于数码类以及消费类电子产品中；
•产线长 - SAMSUNG已拥有全系列的DRAM产品。其中以TSOP-II和FBGA封装的128Mb~256Mb SDRAM、128Mb~512Mb DDR。

SAMSUNG SDRAM系列规格参数
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4S640832N-LC75	64Mb N-die	8M*8	4Banks	LC(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S641632N-UC80	64Mb N-die	4M*16	4Banks	LC(L)50/C(L)60/C(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S280832K-UC75	128Mb K-die 128Mb O-die	16M*8	4Banks	UC(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S281632K-UC75		8M16 16M8	4Banks	LC(L)50/C(L)60/C(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S281632O-LC75		8M*16	4Banks	LC(L)50/C(L)60/C(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S560432J-UC75	256Mb J-die	64M*4	4Banks	UC(L)75	8K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S560832J-UC75		32M*8		UC(L)75
K4S561632J-UC75		16M*16		UC(L)60/C(L)75
K4S560432N-LC75	256Mb N-die	64M*4	4Banks	UC(L)75	8K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S560832N-LC75		32M*8		UC(L)75
K4S561632N-LC60		16M*16		UC(L)60/C(L)75
SAMSUNG DDR SDRAM系列规格参数
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4H641638N-LCCC	64Mb N-die	4M*16	4Banks	LC(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H641638N-LCCC	64Mb N-die	4M*16	4Banks	FC(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	60BallFBGA
K4H641638Q-LCCC	64Mb Q-die	4M*16	4Banks	LC(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H281638L-LCCC	128Mb L-die	8M*16	4Banks	LC(L)CC/C(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H281638O-LCCC	128Mb O-die	8M*16	4Banks	LC(L)CC/C(L)B3	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H560438J-LCB3	256Mb J-die	64M*4	4Banks	LC(L)B3/C(L)B0	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H560838J-LCCC		32M*8		LC(L)CC/C(L)B3
K4H561638J-LCB3		16M*16		LC(L)CC/C(L)B3
K4H560438N-LCB0	256Mb N-die	64M*4	4Banks	LC(L)B3/C(L)B0	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H560838N-LCCC		32M*8		LC(L)CC/C(L)B3
K4H561638N-LCCC		16M*16		LC(L)CC/C(L)B3
K4H510438F-HCCC	512Mb F-die	128M*4	4Banks	LC(L)B3/C(L)B0	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H510438F-HCCC		128M*4		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H510438F-HCCC		64M*8		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H510438F-HCCC		64M*8		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H511638F-LCB3		32M*16		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H511638F-LCB3		32M*16		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H510438G-HCCC	512Mb G-die	128M*4	4Banks	LC(L)CC/C(L)B3	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H510438G-HCCC		128M*4		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H510838G-LCCC		64M*8		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H510838G-LCCC		64M*8		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H511638G-LCB3		32M*16		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H511638G-LCB3		32M*16		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
SAMSUNG DDR2 SDRAM系列规格参数
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4T28163QO-HCE6	128Mb O-die	8M*16	4Banks	HCF8/E7/F7/E6	4K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T56163QI-ZCF7	256Mb I-die	16M*16	4Banks	HCE7/F7E6/D5/CC	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T56163QN-HCE6	256Mb N-die	16M*16	4Banks	HCF8/E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T51083QG-HCE6	512Mb G-die	64M*8	4Banks	HC(L)F8/E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T51163QG-HCF8	512Mb G-die	32M*16	4Banks	HC(L)F8/E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T51043QI-HCE6	512Mb I-die	128M*4	4Banks	HC(L)E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T51083QI-HCE6		64M*8		HC(L)E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T51163QI-HCE7		32M*16		HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T1G084QE-HCF7	1Gb E-die	128M*8	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T1G164QE-HCE7	1Gb E-die	64M*16	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T1G084QF-BCF8	1Gb F-die	128M*8	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T1G164QF-BCE7	1Gb F-die	64M*16	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
SAMSUNG DDR3 SDRAM系列规格参数
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4B1G0846E-HCH9	1Gb E-die	128M*8	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	78BallFBGA
K4B1G1646E-HCH9	1Gb E-die	64M*16	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	96BallFBGA
K4B2G0846E-MCF	2Gb B-die	256M*8	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	78BallFBGA
K4B2G1646E-HCN9	2Gb B-die	128M*16	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	96BallFBGA

为什么选择天元鑫作为你的SAMSUNG三星合作商的六大理由：

第一、一站式电子元器件服务

第二、专业SAMSUNG三星FAE技术团队支持

第三、极具竞争力的SAMSUNG三星产品价格

第四、数十万种原装现货库存

第五、24小时在线实时回复

第六、灵活多变的财务制度

未来，天元鑫希望能跟客户开展SAMSUNG三星公司更紧密的合作，同时竭尽所能地提供SAMSUNG三星公司最前沿的信息与产品，让客户在未来的市场竞争中领先一步、稳操胜卷。

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