SK 海力士量产了二代产品64Gb MLC NAND

来源：未知 时间：2013-12-13 08:55 发布人：admin 阅读：

SK海力士将积极持续加强其在NAND闪存解决方案的竞争力，同时加快TLC （三单元）和3D NAND Flash产品的发展。

SK海力士正试图以最新的制程技术，解决实现微细制程的瓶颈。一般而言，实现微细制程，最大的障碍在于Cell间的干扰现象。SK海力士的16纳米制程，采用最新空气隙(Air-Gap)制程技术。Air-Gap技术是以空气取代电路之间的绝缘物质，形成绝缘层的技术。

SK海力士(SK Hynix)20日宣布将量产16纳米64Gb MLC NAND Flash。6月SK海力士以16纳米制程生产64Gb MLC NAND一代产品，目前则是同样采用16纳米制程生产，但芯片尺寸缩减，并加强了成本竞争力的二代产品。

SK海力士开始量产的二代产品将大幅强化NAND Flash竞争力，SK海力士表示，确保了16纳米64Gb MLC NAND生产性后，以该产品的特性和信赖度为基础，研发出以MLC为基准的单一芯片最大容量128Gb产品，SK海力士计划在2014年初量产16纳米128Gb MLC。

SK海力士Flash Tech研发本部长金振雄(音译)表示，SK海力士领先业界研发出16纳米技术，并率先投入量产，并完成了128Gb MLC产品研发，将架构大容量NAND Flash产品阵容。未来将藉由推出高信赖度、确保信息使用耐久性的NAND Flash产品，积极因应客户需求。

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