SAMSUNG1X纳米工艺64GB闪存芯片性能将提升30%

来源：未知 时间：2012-12-25 09:47 发布人：admin 阅读：

2012年11月15日，三星电子正式推出了基于1x纳米（1x纳米, 10纳米级）高速NAND闪存技术开发的世界最高速64GB内嵌式存储器（eMMC,embedded Multi Media Card）。SAMSUNG代理商等三星子公司的eMMC是针对目前日益扩大的智能手机、平板电脑等移动设备市场而推出的存储类存储器。

据介绍，三星电子基于从10月开始正式量产的1x纳米 64GB高速NAND技术，从11月开始正式推出SAMSUNG代理商专用规格产品—"64GB eMMC Pro Class 2000"。该产品的性能与采用最新标准的eMMC4.5接口"64GB eMMC Pro Class 1500"相比提高了30%。此次推出的64GB eMMC产品采用了SAMSUNG代理商专用规格—eMMC标准。预计，该标准将主导2013年会登记到固态技术协会（JEDEC）的新一代高性能存储技术的标准。

“64GB eMMC Pro Class 2000”产品的任意书写速度提高到2,000 IOPS(Input and outputs per second)、任意读取速度提高到5,000 IOPS。尤其，连续读取速度、书写速度各为260MB/s(Megabyte per second), 50MB/s。该速度与高速外置存储卡Class 10的读取速度24MB/s、书写速度12MB/s相比快10倍以上。

2011年5月，三星电子SAMSUNG代理商在业内首次量产采用超高速NAND闪存规格Toggle DDR(Double Data Rate) 2.0的2y 纳米64GB MLC(Multi Level Cell)NAND闪存产品。此后，2012年11月开始，三星电子正式量产了通过现有的20纳米级NAND闪存技术的兼容性，能够提高30%生产性的1x纳米级 64GB NAND闪存产品。2011年7月，三星电子正式量产了基于2y纳米级高速NAND技术采用eMMC4.5标准的"64GB eMMC Pro Class 1500"。此后，仅5个月的时间内，三星电子又推出了基于1x纳米64GB 高速NAND技术的新一代"64GB eMMC Pro Class 2000"产品群。

此外，三星电子SAMSUNG代理商预计2013年通过推出128GB大容量产品，欲打造业界最大eMMC阵容。从2012年开始，三星电子将迅速扩大10纳米级64GB NAND闪存的产量，到2014年预计能抢占50%以上的NAND闪存市场。

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