K4T1G164QF-BCE7是SAMSUNG·升邦（齐生1335291690 QQ2355540882）代理三星的一款存储芯片，
全系三星存储芯片均出自原厂，100%原装正品，海量现货，支持小批量，是中小型企业的最佳合作伙伴。
SAMSUNG SDRAM/DDR 系列产品特点：
•高速度— 1600Mbps的DDR3能迎合需要高速效的数码电视、STB、蓝光播放机和网络设备；
•低功耗 —DDR3(1.5V) 的电压比DDR2(1.8V)低，能减低系统的耗电量；
•工作温度范围宽 - 最新的Q版本工作温度在-40 to +105；
•高品质 - 由于是国内生产与加工，无形中降低了很多成本。广泛应用于数码类以及消费类电子产品中；
•产线长 - SAMSUNG已拥有全系列的DRAM产品。其中以TSOP-II和FBGA封装的128Mb~256Mb SDRAM、128Mb~512Mb DDR。
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AMSUNG SDRAM系列规格参数 |
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Part Number |
Density |
ory |
Refresh Power(V) |
Package |
|
K4S640832N-LC75 |
64Mb N-die |
8M*8 |
4K/64ms 3.3±0.3V |
54pin TSOP(II) |
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K4S641632N-UC80 |
4M*16 |
4K/64ms 3.3±0.3V |
||
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K4S280832K-UC75 |
128Mb K-die |
16M*8 |
4K/64ms 3.3±0.3V |
54pin TSOP(II) |
|
K4S281632K-UC75 |
128Mb O-die |
8M*16 |
4K/64ms 3.3±0.3V |
54pin TSOP(II) |
|
|
16M*8 |
|||
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K4S281632O-LC75 |
|
8M*16 |
4K/64ms 3.3±0.3V |
54pin TSOP(II) |
|
K4S560432J-UC75 |
256Mb J-die |
64M*4 |
8K/64ms 3.3±0.3V |
54pin TSOP(II) |
|
K4S560832J-UC75 |
32M*8 |
|||
|
K4S561632J-UC75 |
16M*16 |
|||
|
K4S560432N-LC75 |
256Mb N-die |
64M*4 |
8K/64ms 3.3±0.3V |
54pin TSOP(II) |
|
K4S560832N-LC75 |
32M*8 |
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K4S561632N-LC60 |
16M*16 |
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SAMSUNG DDR SDRAM系列规格参数 |
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Part Number |
Density |
ory |
Refresh Power(V) |
Package |
|
K4H641638N-LCCC |
64Mb N-die |
4M*16 |
4K/64ms 2.5±0.2V |
66PinTSOPII |
|
60BallFBGA |
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K4H641638Q-LCCC |
64Mb Q-die |
4M*16 |
4K/64ms 2.5±0.2V |
66PinTSOPII |
|
K4H281638L-LCCC |
128Mb L-die |
8M*16 |
4K/64ms 2.5±0.2V |
66PinTSOPII |
|
K4H281638O-LCCC |
128Mb O-die |
8M*16 |
4K/64ms 2.5±0.2V |
66PinTSOPII |
|
K4H560438J-LCB3 |
256Mb J-die |
64M*4 |
8K/64ms 2.5±0.2V |
66PinTSOPII |
|
K4H560838J-LCCC |
32M*8 |
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K4H561638J-LCB3 |
16M*16 |
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K4H560438N-LCB0 |
256Mb N-die |
64M*4 |
8K/64ms 2.5±0.2V |
66PinTSOPII |
|
K4H560838N-LCCC |
32M*8 |
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K4H561638N-LCCC |
16M*16 |
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SAMSUNG DDR2 SDRAM系列规格参数 |
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Part Number |
Density |
ory |
Refresh Power(V) |
Package |
|
K4T28163QO-HCE6 |
128Mb O-die |
8M*16 |
4K/64ms 1.8±0.1V |
84BallFBGA |
|
K4T56163QI-ZCF7 |
256Mb I-die |
16M*16 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
84BallFBGA |
|
K4T56163QN-HCE6 |
256Mb N-die |
16M*16 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
84BallFBGA |
|
K4T51083QG-HCE6 |
512Mb G-die |
64M*8 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
60BallFBGA |
|
K4T51163QG-HCF8 |
32M*16 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
84BallFBGA |
|
|
K4T51043QI-HCE6 |
512Mb I-die |
128M*4 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
60BallFBGA |
|
K4T51083QI-HCE6 |
64M*8 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
||
|
K4T51163QI-HCE7 |
32M*16 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
84BallFBGA |
|
|
K4T1G084QE-HCF7 |
1Gb E-die |
128M*8 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
60BallFBGA |
|
K4T1G164QE-HCE7 |
64M*16 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
84BallFBGA |
|
|
K4T1G084QF-BCF8 |
1Gb F-die |
128M*8 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
60BallFBGA |
|
K4T1G164QF-BCE7 |
64M*16 |
8K/64ms 1.8±0.1V |
84BallFBGA |
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SAMSUNG DDR3 SDRAM系列规格参数 |
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Part Number |
Density |
ory |
Refresh Power(V) |
Package |
|
K4B1G0846E-HCH9 |
1Gb E-die |
128M*8 |
8K/64ms 1.5±0.075V |
78BallFBGA |
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K4B1G1646E-HCH9 |
64M*16 |
96BallFBGA |
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|
K4B2G0846E-MCF |
2Gb B-die |
256M*8 |
8K/64ms 1.5±0.075V |
78BallFBGA |
|
K4B2G1646E-HCN9 |
128M*16 |
96BallFBGA |
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深圳升邦科技作为在国内的SAMSUNG代理商，本着“全力服务客户，为客户创造终生价值”原则。努力
创造“资源平台的共享、成就客户、成就公司”的美好前景。特做以下承诺：
1、升邦电子保证提供的所有产品均为原厂全新正品，假一赔十；
2、升邦电子所提供的所有产品均符合行业技术标准和质量检测标准，符合原厂苛刻的相关技术指标；
3、若产品存在任何质量问题，本公司无条件负责退货、退款或换货，查明问题原因并赔偿由于我们的
疏忽给贵司带来的一切损失。
更多关于K4T1G164QF-BCE7的技术资料，请咨询
深圳市升邦科技有限公司
联系人：齐先生 电话：0755-85298367
手 机：13352916901 Q Q: 2355540882
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